碳化硅陶瓷的三种制备方法

    碳化硅陶瓷制品广泛应用在各行各业中，因其自身的种种特点，被客户一致认可。下面为大家介绍一下碳化硅陶瓷的三种制备方法：
    一、反应碳化硅陶瓷，反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右，通过气相与C反应生成。
    二、热压碳化硅陶瓷，虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密，但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类：一类与碳化硅中的杂质形成液相，通过液相促进烧结；一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。
    三、常压碳化硅陶瓷，常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅，在烧结到2100度以上的温度下，生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。